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定制尺寸

電磁波屏蔽膜也叫EMI(ElectroMagnetic Interference-電磁干擾)保護膜或吸波材料。

目前用作 RFI(RF Interference-射頻干擾)屏蔽的材料范圍包括導電金屬氧化物、金屬網(wǎng)和納米線(xiàn)等材料。

我司EMI/RFI屏蔽膜主要是銅材蝕刻加工后,通過(guò)壓合于膜材上,主要是對產(chǎn)品內部線(xiàn)路起到減弱或消除電磁干擾/射頻干擾的作用。

具有優(yōu)良的電磁波屏蔽性能的柔性、薄、輕量的電磁波屏蔽膜,用于防止周?chē)h(huán)境中的醫療器械、船舶、飛機等精密設備發(fā)生故障。

EMI/RFI屏蔽膜提供有效的電磁屏蔽和最佳的透明度(可見(jiàn)光透射率 >80%)。

EMI/RFI屏蔽膜上包含的銅網(wǎng)為 ITO 屏蔽提供了很好的替代品(更好的電阻和導電性)。事實(shí)上,ITO 技術(shù)是基于具有非常薄層的支撐金屬化。該技術(shù)提供較低的電導率、較低的透明度和較高的氧化風(fēng)險。這就是為什么我們更愿意提出這種基于 Cu Mesh 原理的 EMI 屏蔽膜。

優(yōu)異的性能

   技術(shù)參數


測試項目

單位

產(chǎn)品特性

檢驗方法

備注

產(chǎn)品型號

/

CNE******EMI-V*.*

/

/

迭構

上保護層

μm

50

千分尺

PE

銅網(wǎng)格層

μm

2

千分尺

表面黑化

基材

μm

100

千分尺

PET 

下保護層

μm

50

千分尺

PET

網(wǎng)格圖案

/

45°斜正方形

/

/

線(xiàn)距

μm

200

二次元

2X

線(xiàn)寬

μm

9±3

二次元

2X

透過(guò)率

%

>80%

分光測色儀

550nm

面電阻

Ω/□

0.2~0.4Ω

四點(diǎn)探頭

/

銅與基材附著(zhù)力

/

5B

百格刀測試

/

可靠性

高溫高濕電阻變化率

%

≤10

恒溫恒濕實(shí)驗箱

溫度85℃,濕度85℃,500H

高溫高濕透過(guò)率變化率

%≤10
高溫高濕電阻變化率%≤10紫外老化箱

光源UVA-340,

輻照強度:0.89W/m2@320nm,

黑標溫度:(70±2)℃,

輻照模式:全時(shí)間段照射

高溫高濕電阻變化率

%

≤10

   電性測試圖示

   迭構方式

產(chǎn)品由上保護膜PE+ 黑化層 + 銅網(wǎng)格層 + 基材PET+ 下保護層PET)組合而成。

   應用范圍

◆ 醫院(核磁共振、肌電圖和腦電圖設備的屏蔽);

◆ 工業(yè)開(kāi)發(fā)實(shí)驗室的屏蔽;

◆ 計算機的數據安全;

◆ 行政房間的屏蔽(防止通過(guò)麥克風(fēng)或建筑物外的電子竊聽(tīng)器進(jìn)行間諜活動(dòng));

◆ 屏蔽雜散電磁輻射;

◆ 消費類(lèi)電子產(chǎn)品(智能手機、平板電腦、觸控面板、數碼相機、液晶電視等)的電子信號屏蔽。

   定制化

我司經(jīng)過(guò)多年的沉淀與積累,擁有完善的研發(fā)和生產(chǎn)體系,為客戶(hù)提供整體的解決方案,

根據設計方案及要求,提供個(gè)性化定制服務(wù),我們始終堅持以客戶(hù)為導向,量身定做適合客戶(hù)需要的最佳方案。

   優(yōu)良的物理特性

高低溫測試

可達到-85℃到+85℃,極點(diǎn)環(huán)境下可正常使用 ;

環(huán)境測試:-80℃、100℃ (沸水)、-235℃情況下測試產(chǎn)品功能正常。


循環(huán)彎曲測試

彎曲度數:從0~ 90~180度(循環(huán)彎曲),彎曲直徑:4mm,8mm。


循環(huán)折疊測試

當彎曲直徑為≦4mm時(shí),彎曲角度從20度到180度循環(huán)折疊下能正常使用。


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